涉嫌向中企泄露半导体技术机密 三星前员工被批捕

12月15日，韩国首尔中央地方法院决定批捕涉嫌将半导体核心技术泄露给中国公司的三星电子及其合作厂商的前员工。

韩国国旗和三星公司旗帜资料图片 © 美联社图片

据韩联社报导，首尔中央地方法院法官根据检方请求，对三星电子前部长金某和合作厂商A公司前经理方某签发了逮捕令，并指：“担心证据会被销毁”。金某与方某涉嫌违反韩国《产业技术保护法》，将18纳米级DRAM核心技术非法转让给中国长鑫存储（CXMT）。

韩国检方认为，金某等人2016年跳槽到长鑫存储时不仅转让了半导体“沉积技术”相关资料，还泄露了其他7个核心技术资料，并以此收受数百亿韩元的财物。韩国检方还认为，金某还以税后5亿韩元（约合人民币274万元）的报酬带走了三星电子及有关公司的20多名技术人员。

报导指，长鑫存储成立短短几年内，已迅速成长为中国主要的DRAM半导体公司，并正在缩小与韩国和美国竞争对手的技术差距。在金某和其他人被拘留后，韩国检方计划继续调查那些参与泄密的人。