美国向三星电子提供64亿美元补贴，三星德州泰勒首家工厂将从2026年起生产4纳米和2纳米芯片

美国政府15日公布，决定将向在德克萨斯州兴建半导体工厂的三星电子提供64亿美元补贴。韩国政府此前向美方提出“让对美进行半导体投资的韩企享受无差别对待”的要求。美国商务部长吉娜·雷蒙多前一天在记者会上表示，为帮助三星电子在得州建厂，美国政府将根据《芯片与科学法案》向三星提供64亿美元补贴。

Le logo de Samsung Electronics devant le siège de l'entreprise à Séoul, en Corée du Sud, le 31 janvier 2023. AP - Ahn Young-joon

韩联社报道，三星的泰勒首家工厂将从2026年起生产4纳米和2纳米芯片，第二工厂将从2027年起量产尖端芯片，研发工厂也将于2027年投产。美国对三星的补贴规模仅次于对英特尔（85亿美元）和台积电（66亿美元）的补贴规模。

三星电子将向德州泰勒市投资170亿美元，扩大兴建中的半导体工厂规模和投资对象，直至2030年共投资450亿美元。这比原先计划的投资规模多出一倍以上。

美国政府高层官员表示，三星电子将在美国进行核心研发，在得州延续半导体技术开发，通过这次投资至少可创造1.7万个建筑工作岗位，加上供应链方面的工作岗位，数量有望超过数万个。另一名美国官员表示，对三星电子提供芯片补贴是美政府旨在推动尖端半导体技术回流国内的第三项投资，与三星电子400多亿美元的投资结合，总规模将在美国外国人投资历史上留下浓重的一笔。

三星电子2022年起在泰勒市兴建的半导体工厂用地额外投建新工厂，新设封装设备和尖端研发设备，据此全面进军美国市场。